Огляд
НАПІВПРОВІДНИКОВА ПРОМИСЛОВІСТЬ
Широко використовуються напівпровідникові матеріали, найважливіше застосування яких — мікросхеми. Різні типи чіпів широко використовуються в споживчому електронному обладнанні, автомобілях, аерокосмічному, комунікаційному обладнанні, медичному обладнанні тощо. Можна сказати, що чіпи всюди присутні в сфері сучасної промисловості. Пластина схожа на матрицю чіпа, і її точність виготовлення безпосередньо впливатиме на якість чіпа. У передових технологіях точна лазерна обробка для виробництва пластин/чіпів не тільки значно підвищує ефективність виробництва, але й на порядок підвищує точність виготовлення.
HGTECH має комплексний макет у напівпровідниковій промисловості, надаючи вам рішення та спеціалізовані машини для обробки напівпровідникових пластин, таких як лазерний відпал пластин, роз’єднання пластин, різання пластин, маркування пластин та інші технології лазерного застосування, щоб відповідати вимогам різні потреби напівпровідникових підприємств.

Рішення
Проблеми сучасної техніки
1. Високоякісне обладнання у процесі виробництва здебільшого залежить від імпорту, що призводить до високої вартості продукту. Виробникам напівпровідникових компонентів терміново потрібне вітчизняне обладнання, яке виходить на передовий галузевий рівень, щоб замінити імпортне.
2. Традиційне різання різальним диском має певні обмеження. Він безпосередньо впливає на стоншені пластини та спричинить значні термічні ефекти та дефекти різання, такі як відколи, тріщини, пасивація, підйом металевого шару та інші дефекти.
3. При обробці високоякісних пластин з низьким k-кристалом нижче 40 нм важко використовувати традиційний процес різання шліфувальним кругом.
Наше рішення
Застосування для нарізання вафель
У напівпровідниковій промисловості пластини стають все тоншими і більшими за розміром. Лазерна обробка замінила традиційний метод різання. Надшвидкий ультрафіолетовий лазер використовується для поверхневого абляційного різання. Лазерна фокусна пляма невелика, тепловий ефект невеликий, а ефективність різання висока. Він широко використовується при різанні кремнієвих та складних напівпровідникових пластин.

Застосування для внутрішньої модифікації та різання пластинчастого чіпа
Для внутрішнього модифікованого різання пластинчастого лазера джерело світла з індивідуальною довжиною хвилі може модифікувати та вирізати кремнієві напівпровідникові пластинчасті мікросхеми високого класу та вузького каналу різання розміром 8 дюймів і більше без пошкодження поверхні, наприклад кремнієві мікрофонні мікросхеми, сенсорні мікросхеми MEMS , мікросхеми CMOS тощо.

Застосування лазерного різання пластин
Використання лазера з ультракороткими імпульсами для обробки пластин з низьким рівнем k може ефективно зменшити колапс, розшарування та термічні ефекти, а також підвищити ефективність прорізування. Сфера застосування може бути розширена до кремнієвих пластин із золотою підкладкою, пластин нітриду галію на основі кремнію, пластин танталату літію, різання пластин нітриду галію тощо.

Лазерне маркування пластин
За допомогою технології лазерної безконтактної обробки ми можемо забезпечити стабільне та чітке маркування пластини без додаткового пошкодження. У той же час швидкість розпізнавання QR-коду висока, а процес виробництва можна відстежити.

Додаток виявлення дефектів напівпровідників
Необхідно перевірити багато ланок у ланцюзі напівпровідникової промисловості, від розміру та площинності оригінального напівпровідникового чіпа та епітаксійного чіпа до макроскопічних дефектів зовнішнього вигляду, а потім до мікроскопічних дефектів напівпровідника з графічними пластинами та зернами. Візуальний огляд і контроль якості необхідні в процесі виробництва та при виході з заводу.

Наша перевага
1. Зменшуються експлуатаційні та матеріальні витрати;
2. Швидка швидкість роботи значно підвищує ефективність виробництва;
3. Дружній інтерфейс діалогу "людина-машина", легке управління та налаштування;
4. Лазерне обладнання має низький термічний вплив, високу точність обробки та ефективність.
Вигода клієнта
1. Висока точність різання та хороша якість різання. Розріз невеликий і матеріал майже не втрачається;
2. Економія часу та коштів, відсутність ручного керування та висока ефективність;
3. CCD може автоматично знаходити та шукати ціль, і може бути позиціонований з точністю 3um;
4. Безконтактна обробка, тонка світлова пляма, висока точність різання та хороший ефект;
5. Відсутність карбонізації в розрізі;
6. Поверхня обробки більш тонка та гладка.
Рекомендація продукту
Машина для різання з різальним диском
Це обладнання в основному розроблено для промисловості напівпровідників і 3C. Підходить для різання кремнію, кераміки, скла, SiC та інших матеріалів. Він має такі переваги, як висока швидкість різання та висока точність позиціонування. Обладнання оснащене високоточною системою зору CCD, яка може реалізувати автоматичне позиціонування та регулювання кута заготовки та підвищити ефективність обробки.

Наносекундне лазерне скрайбінгове обладнання
Наносекундний лазер використовується для точного нарізання пластин GPP.

Обладнання для пікосекундного лазерного скрайбування
Ультрафіолетовий пікосекундний лазер використовується для прецизійного половинного або повного різання кремнієвих і складних напівпровідникових пластин.

Обладнання для лазерного різання пластин
Це обладнання розроблено для 8--дюймових і вище установок із зварювання мікросхем і випробувань і застосовується до пластин з низьким рівнем k і пластин Gan на основі кремнію з 40 нм і нижче в напівпровідниковій промисловості.

Обладнання для лазерного різання пластин
Це обладнання використовується для лазерної модифікації та різання пластин на основі кремнію в напівпровідниковій промисловості для 8--дюймових і вище установок для зварювання мікросхем і тестування.

Обладнання для лазерного маркування пластин
З огляду на напівпровідникову промисловість, маніпулятор пластин і зовнішня коаксіальна технологія позиціонування застосовуються для реалізації повністю автоматичного лазерного маркування 2-6-дюймових пластин.

Повністю автоматичне обладнання для маркування вафель
У промисловості панів-напівпровідників і 3C він використовується для різних типів ідентифікації Si, Gan, SiC, скла та матеріалів для покриття поверхні, а також для пластин розміром 8- дюймів і вище.

Обладнання для вимірювання товщини напівпровідникових пластин
Незалежно розроблена спектральна конфокальна вимірювальна система використовується для визначення розміру та площинності напівпровідникових необроблених та епітаксіальних пластин, що стосуються підприємств із виробництва сировини на початку ланцюжка напівпровідникової промисловості.

Обладнання для виявлення дефектів напівпровідникової підкладки
Незалежно розроблена оптична система виявлення світлого та темного полів використовується для виявлення дефектів зовнішнього вигляду напівпровідникової сировини, епітаксійних пластин і пластин із візерунками, що стосуються підприємств із виробництва сировини та середніх підприємств із виробництва пластин у ланцюзі напівпровідникової промисловості.

Обладнання для виявлення дефектів напівпровідникових пластин
Для підприємств, що займаються виробництвом пластин середнього потоку, а також підприємств пакування та тестування в ланцюжку напівпровідникової промисловості, розроблена незалежно розроблена багатоканальна система паралельного виявлення яскравих і темних полів для виявлення дефектів зовнішнього вигляду напівпровідникових пластин і зерен із графікою.


